氧化镓MOS管的建模方法.pdfVIP

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2024-04-17 发布于四川
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氧化镓MOS管的建模方法.pdf

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本申请涉及一种氧化镓MOS管的建模方法，包括：对所述氧化镓MOS管的电学模型和温度模型进行耦合，得到所述氧化镓MOS管的电热耦合效应模型，所述电学模型包括所述全局表面电势方程、所述沟道电荷方程、所述漏极电流方程和所述端电荷方程，所述温度模型包括所述稳态温度方程和所述瞬态温度方程。该电热耦合效应模型是与氧化镓MOS管的工作原理紧密相关的，能够更加准确地描述氧化镓MOS管的工作特性，其可以用于氧化镓MOS管及其相关电路的电热协同优化。因此，解决了现有的β‑Ga2O3MOSFET电热耦合效应模型，难

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117892692A

(43)申请公布日2024.04.16

(21)申请号202410082197.1

(22)申请日2024.01.19

(71)申请人中国科学技术大学

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