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本发明涉及一种AlGaN/GaNHEMT器件结构，包括衬底、本征GaN层、GAN沟道层、AlGaN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、绝缘层、钝化层、ITO栅电极及硅化物，其中AlGaN掺杂层上间隔设置有源极、绝缘层和漏极，绝缘层和漏极之间设钝化层，AlGaN掺杂层和绝缘层上均设有ITO栅电极，ITO栅电极与源极间另设钝化层；在漏极、ITO栅电极处构成GAN沟道层。包括基板制备，初步光刻，绝缘设置，ITO栅电极加工，硅化物加工，钝化处理及成型加工。本发明一方面有效的提高了设备的抗击穿电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894833A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410105309.0
(22)申请日2024.01.25
(71)申请人苏州科技大学
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