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本发明提供了一种强磁场辅助布里奇曼晶体生长炉，设置室温孔径人造磁体，将第一炉膛与样品居中地包围在孔内，人造磁体在孔径内产生磁场，磁体内环绕中轴线绕设有线圈，线圈通电产生磁场并通过调节线圈电流可调控，晶体生长过程中第一炉膛与样品始终处于可控的磁场中；第一炉膛内通过加热单元形成有温度可独立调控的第一梯度温区，梯度方向顺着Z向设置，样品能够由位移单元带动、在第一炉膛中沿着Z向穿行，穿行速度由位移单元可调控，通过在有磁第一梯度温区内的热量交换实现晶体生长。本发明能够用于生长Ga1‑xInxSb晶体，实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117888179A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410080084.8
(22)申请日2024.01.19
(71)申请人中国科学院合肥物质科学研究院
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