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三维半导体器件及其制造方法.pdfVIP

三维半导体器件及其制造方法.pdf

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    本公开提供了一种三维半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在基板上的下层结构，下层结构在基板的第一区域和第二区域上具有不同的厚度，该下层结构包括在顶部的电极层和在其下面的绝缘层；蚀刻停止层，在下层结构上；上层结构，在蚀刻停止层上，该蚀刻停止层对于上层结构和下层结构具有蚀刻选择性；第一接触插塞和第二接触插塞，分别填充限定在第一区域和第二区域上的上层结构和蚀刻停止层中的第一开口和第二开口并分别接触下层结构的对应的电极层，使得第一接触插塞和第二接触插塞中的一个与第一接触插塞和第二接触插塞的另一个相

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109216366A

    (43)申请公布日

    2019.01.15

    (21)申请号20181

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