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本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括:向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体,控制刻蚀压力达到1~20mTorr后,开启并控制ICP功率为500~2500w,偏压功率为30~500w,对二氧化硅进行刻蚀,所述第一刻蚀气体为含氟化合物,所述含氟化合物中氟的分子量大于3,所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物,氟与碳的分子量之比小于3,所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1:(2~4):(5~10)。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117877976A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202311302591.3
(22)申请日2023.10.09
(30)优先权数据
10-2022-0129820
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