一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室.pdfVIP

下载本文档

4
0
约9.36千字
约 9页
2024-04-13 发布于四川
举报
版权申诉

一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室，方法包括：S1、刻蚀，S2、导入前体气体，S3、生长SiC薄膜，S4、生成纳米结构，S5、冷却和S6、表征；本发明在SiC薄膜生长过程中，引入NH3分解产生氮掺杂可以改变SiC材料的电学和光学性质，如用于光电器件和功率器件，引入N2作为气相掺杂源，可以改善SiC薄膜的结晶质量和降低缺陷密度，从而提高材料的性能和稳定性，通过引入N2生成氮化碳化硅(SiCN)纳米线可以具备独特的光学和电学性质，适

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117867654A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202311837329.9

(22)申请日2023.12.28

(71)申请人浙江芯科半导体有限公司

地址