提高沟槽MIM电容耐压的方法.pdfVIP

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2024-04-10 发布于四川
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提高沟槽MIM电容耐压的方法.pdf

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本发明提供一种提高沟槽MIM电容耐压的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构以及覆盖半导体结构的第一层间介质层，在第一层间介质层上形成与半导体结构电接触的第一金属层，第一金属层上形成有介质阻挡层以及第二层间介质层，在介质阻挡层和第二层间介质层上形成底部与第一金属层连通的沟槽，沟槽用于定义出MIM电容的形成区域；形成覆盖沟槽的下极板金属，利用淀积、刻蚀形成位于沟槽侧壁处的侧墙，使得MIM电容的击穿电压增加；形成覆盖沟槽的电容绝缘层，在电容绝缘层上形成上极板金属；利用研磨去除MIM电容区域之外的上极

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855199A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410012128.3

(22)申请日2024.01.04

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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