半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板.pdfVIP

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2024-04-06 发布于四川
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半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板.pdf

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本发明公开了一种半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1,将半导体致冷器基板放入中性清洗溶剂中清洗；S2,水洗，去除中性清洗溶剂；S3,甩干机离心甩干；S4,有机清洗；S5,甩干机离心甩干；S6,等离子机内清洗，功率为500‑1000W；S7,离子束清洗机清洗5~30min，束流为100‑185mA。本发明解决了金属化层的粘附力的较差以及高温环境下金属化层与基材容易起层分离的问题。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117835790A

(43)申请公布日2024.04.05

(21)申请号202410252792.5

(22)申请日2024.03.06

(71)申请人四川科尔威光电科技有限公司

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