TGDEIIA 06-2023 CF1101 型硅基电容器技术规范.docxVIP

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T/GDEIIA

团 体 标 准

T/GDEIIA06—2023

CF1101型硅基电容器技术规范

TechnicalSpecificationforCF1101SiliconBasedCapacitor

2023-12-18发布 2023-12-18实施

广东省电子信息行业协会 发布

T/GDEIIA06—2023

目??次

引??言 Ⅲ

前??言 Ⅳ

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

硅基电容器 1

电容器 1

损耗角正切 1

额定电压 1

寿命（试验） 2

霉菌（试验） 24 要求 2

总则 2

产品鉴定 2

质量保证 2

材料 2

设计结构和外形尺寸 2

温度冲击和电压处理 4

电容量及允许偏差 4

损耗角正切 4

绝缘电阻 4

介质耐电压 4

破坏性物理分析 4

键合强度 4

剪切强度 4

电压-温度特性 5

浸渍 5

耐焊接热 5

稳态湿热（低电压） 5

寿命 5

霉菌 6

标志 6

加工质量 6

替代要求 65 质量保证要求 6

检验分类 6

检验条件和基准测量 6

I

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鉴定检验 7

质量一致性检验 8

样品安装方法 10

检验方法 116 包装、运输和贮存要求 14

包装和标识 14

运输和贮存 15

发货时应提供的文件 15附录A(规范性)说明事项 16

附录B硅基电容器外观典型缺陷判断 17

附录C硅破坏性物理分析的剖面检查方法和判据 23

II

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引??言

硅基电容器作为一种新型元件，主要应用在航空航天、军事防御、能源、通信、自动化及医疗等领域，具有体积小、Q值高、温度系数小、使用频率高等特点，但是目前国内仍无硅基电容器相关的产品标准。《中国电子元器件“十四五”发展规划》提出“加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度”，硅电容器作为“尖端电容器”，建立硅基电容器相关的行业标准规范具有重要的意义。标准的建立既能促进硅基电容器产品的规范化、良性化发展，也能为下游客户提供完善的产品设计规范，推动国内重要新型元器件的发展。

III

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前??言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草。

本文件的技术指标和试验方法是在参照GJB2442A-2021《有失效率等级的单层片式瓷介电容器通

用规范》、GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》、GJB548C-2021《微电子器件试验方法和程序》等国家军用标准的基础上，结合用户需要、国际上硅基电容器的技术发展趋势和企业的产品特点而制定的。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文由广州天极电子科技股份有限公司提出。

本文件由广东省电子信息行业协会归口。

本文件起草单位：广州天极电子科技股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、佛山职业技术学院、广东产品质量监督检验研究院。

本文件主要起草人：丁明建、刁硕、陈大力、石光明、化雪荟、杨俊锋、冯毅龙、庄彤、蔡祥坤、陈永康、陈柱亨、徐毅泉、朱青山、王华洋、卢敏仪、雷仕焱。

本文件为首次发布。

Ⅳ

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CF1101型硅基电容器技术规范

范围

本文件规定了CF1101型硅基电容器的规格型号分类、技术要求、质量保证规定、包装、运输和贮

存。

本文件适用于CF1101型硅基电容器产品的质量控制。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

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GB/T2828.1-2012 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器第1部分：总规范

GB/T2900.16-1996电工术语电力电容器

GJB150.10A-2009 军用装备实验室环境试验方法第10部分：霉菌试验

GJB2442A-2021 有失效率等级的单层片式瓷介电容器通用规范

GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序

GJB4152A-2014 多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方