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本申请公开了一种制备CT机X射线管阳极靶盘的方法,步骤包括:在靶盘基材表面,工作粉末采用高能束熔覆粉末增材制造方法,制备成N层结构的靶盘,所述N层结构的靶盘包括靶盘基材、以及至少覆盖在靶盘基材表面电子束轰击区的N层含钨层;N为≥1的整数;工作粉末包括含钨粉末。本申请制备CT机X射线管阳极靶盘的方法,所得产品致密度高达98%以上,常温热导率高于150W/(m·K),与靶盘基材的界面连接性好,剪切强度高于180MPa。该方法也可以用于电子束轰击环形区存在损伤的CT机X射线管阳极靶盘的修复。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117779023A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311795428.5B33Y10/00(2015.01)
(22)申请日2023.12.
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