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本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包含半导体基底，具有图案密集区以及图案稀疏区；绝缘组件，界定出第一主动区以及第二主动区在图案密集区中；第一掺杂区以及第二掺杂区，位在第一主动区与第二主动区中；第一金属栓塞以及第二金属栓塞，第一金属栓塞设置在第一掺杂区上，第二金属栓塞设置在第二主动区中的第一掺杂区上；第三金属栓塞以及第四金属栓塞，设置在半导体基底的图案稀疏区上；以及介电层，设置在半导体基底的图案密集区与图案稀疏区上，介电层位在第一金属栓塞与第二金属栓塞之间的第一部分通过第一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113644072A
(43)申请公布日2021.11.12
(21)申请号202110514803.9
(22)申请日2021.05.10
(30)优先权数据
16/871,92
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