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2024-03-30 发布于四川
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一种基于VDTA-VDCA的完全浮动型忆阻器模拟电路.pdf

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本发明公开了一种基于VDTA‑VDCA的完全浮动型忆阻器模拟电路。整体电路由1个VDTA、1个VDCA、一个电容C、两个PMOS晶体管(MR1、MR2)构成。其中，MR1和MR2构成忆阻器电路的可变电阻器；VDTA控制MR1和MR2的栅极电压，改变MR1和MR2上流过的电流；VDCA产生开关控制信号，实现忆阻器电路的长时间记忆功能。设计的忆阻器电路兼容CMOS工艺，利于电路集成，具有长时间保持的特性和完全浮动的特点，并且无需改变电路的拓扑结构就可以实现忆阻器递增、递减模式之间的切换。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117789790A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202310872405.3

(22)申请日2023.07.17

(71)申请人中国计量大学

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