晶圆研磨方法、装置及设备.pdfVIP

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2024-03-30 发布于四川
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晶圆研磨方法、装置及设备.pdf

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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种晶圆研磨方法、装置及设备，该方法包括：将待研磨晶圆吸附于研磨头，研磨头包括压力膜、内部支撑环和研磨护圈，待研磨晶圆包括同心设置的第一区域、第二区域和第三区域；在第一抛光垫上对待研磨晶圆进行第一研磨处理，以使第一区域的去除量达到预设去除量；将经过第一研磨处理的待研磨晶圆转移到第二抛光垫上，第二抛光垫的硬度小于第一抛光垫的硬度；在第二抛光垫上对经过第一研磨处理的待研磨晶圆进行第二研磨处理，以使第一区域、第二区域和第三区域的厚度相同，在第二研磨处理的过程中，第一

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117773767A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311840007.XB24B37/30(2012.01)