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离子束照射装置及离子束照射方法.pdfVIP

离子束照射装置及离子束照射方法.pdf

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    本发明涉及提供一种可降低形成显示器的TFT的氧化物半导体膜的电阻值的离子束照射装置及离子束照射方法。离子束照射装置设为在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物(T)照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将照射对象物(T)加热的加热装置(30)，且构成为在加热装置(30)将照射对象物(T)加热之后，以使得至少一部分的离子可贯通氧化物半导体膜的方式照射离子束(IB)。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790320A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202310901126.5

    (22)申请日2023.07.21

    (30)优先权数据

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