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本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，在化学气相沉积工序中采用常压氧化工艺制备隧穿氧化层，常压氧化工艺包括依序进行的常压流氧氧化和常压闷氧氧化，常压流氧氧化的步骤和常压闷氧氧化的步骤中均在常压且预设温度下对位于炉管反应腔室中的预处理硅片供氧，以使得预处理硅片表面氧化形成隧穿氧化层，其中，常压流氧氧化的第一氧气流量大于常压闷氧氧化的第二氧气流量，常压流氧氧化的第一持续氧化时长少于常压闷氧氧化的第二持续氧化时长。本申请提供的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法可以有效提升化学气相沉积方法制备得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790630A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311830582.1
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人晶澳太阳能有限公司
地址055
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