复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备.pdfVIP

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2024-03-30 发布于四川
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复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备.pdf

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本申请提供了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体技术领域。该复合衬底包括第一衬底和第一层，第一层设置于第一衬底上，且与第一衬底键合。其中，第一层为经激光切片工艺得到的膜层(激光传播经过第一层)，激光切片工艺所采用的激光的脉宽范围为10fs～10ns，激光的单脉冲能量范围为0.01mJ～10mJ。第一层被激光照射后的X射线衍射摇摆曲线的半峰宽的范围为10arcsec～30arcsec，第一层被激光照射前后的X射线衍射摇摆曲线的半峰宽的变化率小于或等于0.1％，半峰宽的变化率很

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790532A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202211158020.2

(22)申请日2022.09.22

(71)申请人华为技术有限公司

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