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本发明公开了一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统，方法包括：S1：构建初始安全运行域；S2：构建电力半导体器件老化程度量化评估模型，获得基于实际运行数据的累积损伤增长量；S3：建立芯片‑外壳间热阻与累积损伤之间的关系；S4：在电力半导体器件老化程度量化评估模型的基础上建立老化敏感参数与电力半导体器件安全运行边界的量化关系，得到安全运行边界退化模型，求解得到退化安全边界；S5：根据所述退化安全边界和初始安全运行域得到的不退化安全边界，构建电力半导体器件寿命周期安全运行域。本发明解决了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117787055A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311828869.0
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人西安交通大学
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