半导体结构及其形成方法、半导体结构的操作方法.pdfVIP

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2024-03-27 发布于四川
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半导体结构及其形成方法、半导体结构的操作方法.pdf

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本公开涉及半导体结构及其形成方法、半导体结构的操作方法。半导体结构包括：衬底；存储阵列，包括沿第一方向和第二方向排布的多个存储单元，存储单元包括有源柱，有源柱包括沿第三方向间隔排布的第一沟道区和第二沟道区；字线结构，包括沿第一方向延伸的第一字线和沿第二方向延伸的第二字线，第一字线覆盖沿第一方向间隔排布的多个存储单元的有源柱的第一沟道区，第二字线覆盖沿第二方向间隔排布的多个存储单元的有源柱的第二沟道区；公共位线，电连接存储阵列中全部存储单元。本公开简化了位线的制程工艺，改善了半导体结构的电性能，且

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117769242A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202211120748.6

(22)申请日2022.09.15

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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