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本发明公开了一种z向泊松比可控的三维晶格阵列结构,基本单元包括下底层、上底层、单元内连接杆与单元间连接杆,单元内连接杆与单元间连接杆关于下底层或上底层对称;下底层、上底层阵列后形成的表面为一种新型负泊松比平面结构,包括内凹弧边组成的中心内凹弧边六边形结构以及平面连接杆组成的手性结构,下底层与上底层的平面连接杆围绕中心内凹弧边六边形的方向相反。本发明提出的结构上、下底层耦合了一种手性结构与一种内凹弧边多边形结构,具有负泊松比特性,同时提升了结构的变形能力和吸能减振特性;提出的三维晶格阵列结构,可根
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117759665A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410029033.2
(22)申请日2024.01.08
(71)申请人西安交通大学
地址710049
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