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本发明涉及一种三段式法拉第杯、离子注入设备及校准方法,属于半导体工艺设备技术领域,三段式法拉第杯包括有相互独立的第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯,第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯均呈条形且在宽度方向上依次相邻地并排或交叠设置,第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯的长度均大于离子束的截面的长度。本方案将离子束分成三部分进行检测,既能够测流强,又能够反映离子束的大致位置,在不明显增加体积和结构复杂度的情况下丰富了法拉第杯的功能,空间利用率高;并且,在后续通过离子束分析仪对离子束进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747389A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311745839.3
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人天津鑫钰半导体设备有限公司
地址
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