功率半导体模块（IGBT）的研发及产业化项目环评可研资料环境影响.docxVIP

1

一、建设项目基本情况

建设项目名称

功率半导体模块（IGBT）的研发及产业化项目

项目代码

2205-320214-89-01-654471

建设单位联系人

周*军

地理坐标

（120度22分55.879秒，31度32分31.410秒）

国民经济

行业类别

C3972半导体分立器件制造

建设项目

行业类别

三十六、计算机、通信和其他电子设备制造业39-80电子器件制造397－显示器件制造；

集成电路制造；使用有机溶剂的；有酸洗的以上均不含仅分割、焊接、组装的

建设性质

?新建（迁建）

□改建

□扩建

□技术改造

建设项目

申报情形

?首次申报项目

□不予批准后再次申报项目

□超五年重新审核项目

□重大变动重新报批项目

项目审批（核准/

备案）部门（选填）

新吴区行政

审批局

项目审批（核准/

备案）文号（选填）

锡新行审投备〔2022〕430号

总投资（万元）

7879

环保投资（万元）

30

环保投资占比

（%）

0.38

施工工期

3个月

是否开工建设

?否

□是：

用地（用海）面积（m2）

1175m2（租赁）

专项评价设置情况

无

规划情况

规划名称：《无锡新区总体发展规划（2005-2020）》

审批机关：无锡市人民政府

审批文号：锡政发〔2006〕294号

2

规划环境影响评价情况

规划环评名称：《无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响报告书》

审查机关：中华人民共和国环境保护部

审查文件：《关于无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响报告书的审查意见》

审查文号：环审[2009]513号

跟踪评价名称：《无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响跟踪评价报告书》

审查机关：中华人民共和国环境保护部

审查文件：《关于无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响跟踪评价工作意见的函》

审查文号：环办环评函〔2017〕1122号

3

规划及规划环境

影响评价符合性

分析

（1）与规划相符性分析

本项目位于无锡市新吴区电腾路6号（租赁无锡电基集成科技有限

公司厂房），属于高新A区，根据《无锡高新区总体规划图》的用地规划图（见图1-1），本项目所在区域规划为“一类工业用地”，符合项

目所在地土地利用规划。

根据《无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响跟踪评价报

告书》及审查意见（环办环评函〔2017〕1122号），开发区产业定位为：以电子信息、精密机械及机电一体化、生物工程及医疗、精细化工、新材料五大高新技术产业为主体。本项目属于C3972半导体分立器件制造，属于电子器件制造，为电子信息行业，故本项目符合无锡高新技术产业

开发区的产业定位。

（2）与规划环境影响评价相符性分析

①与《无锡国家高新技术产业开发区发展规划环境影响报告书》符

合性分析

《无锡国家高新技术开发区发展规划环境影响报告书》于2009年12月1日通过环境保护部的审查（环审[2009]513号），本项目与规划

环评审查意见对照表见表1-1。

表1-1本项目与规划环评审查意见对照表

序号

审查意见

本项目情况

相符性

1

进一步优化调整区内功能布局。高新区规划A区内不宜新布局排放硫酸雾的企业。优化新洲生态园和城铁站前社区等集中居住区周围的工业布局，避免对居民生活环

境质量和人群产生影响。

本项目位于无锡市新吴区电腾

路6号，属于高新区规划A区，

本项目建设完成后不排放硫酸

雾。与新洲生态园的距离为

1.5km，距离城铁站前社区

4.67km，各污染物落实各污染

防治措施后对周围敏感点及新

洲生态园影响较小。

相符

2

进一步升级改造产业结构。根据规划发展目标和产业导向要求，加快推进污染企业的布局调整，升级改造和污染整治，严格入区项目环境准入，严格遵守国家产业政策，太湖流域污染防治规定。

本项目产品为功率半导体模块（IGBT），属于半导体分立器件制造，符合无锡高新技术产业开发区的产业定位，符合国家产业政策。本项目生活污水经化粪池处理后接管至新城水处理厂处理，符合太湖流域污

染防治规定。

相符

3

抓紧制定硫酸影响大气环境质量和重金属废水污染河道底泥的综合整治方案，作为

本项目不涉及硫酸雾和重金属废水产生。项目的有机废气经处理后达标排放。本项目生活

相符

项目所在地

图1-1无锡高新区总体规划图

4

规划实施的重要内容。提高工业废气排放企业和重金属废水排放企业的清洁生产水

平。

污水经化粪池处理后接管至新

城水处理厂处理，固废实现

“零”排放。

4

加快污水集中处理设施和中水回用设施的建设，提高水资源利用率。加强对开发区规划实施后