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一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法.pdfVIP

一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种基于垂直双栅晶体管的存取单元及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的DRAM数据读取效率低的问题。该制备方法包括：制备读取晶体管；通过沉积技术在读取晶体管上形成隔离层并刻蚀出通孔；在隔离层上依次形成第一金属层、第一介质层、第二金属层的第一叠层；刻蚀第一叠层的一侧，露出第一金属层形成侧壁；通过沉积技术在第一叠层的侧壁上依次形成沟道层、沟道钝化层和第三金属层。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117715418A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311797190.X

    (22)申请日2023.12.25

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

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