一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2024-03-16 发布于四川
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一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117712170A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311705188.5H01L29/10(2006.01)