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2024-02-24 发布于四川
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晶片的加工方法.pdf

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本发明提供晶片的加工方法，在等离子蚀刻中能够提高加工品质。晶片的加工方法包含如下的步骤：第1加工槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线照射激光光线而在功能层上形成第1加工槽；掩模用保护膜形成步骤，在实施了第1加工槽形成步骤之后形成将晶片的正面包覆并且填充至第1加工槽内的保护膜；第2加工槽形成步骤，在实施了掩模用保护膜形成步骤之后，沿着第1加工槽照射激光光线而形成宽度比第1加工槽小的第2加工槽，使基板沿着第2加工槽露出；以及等离子蚀刻步骤，在实施了第2加工槽形成步骤之后，将保护膜作为掩模而沿着第2

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594529A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202310974559.3B23K101/36(2006.01)

(22)申请日2023.08

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