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本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H‑SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H‑SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；进一步的，所述SiC/Al/Ti欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H‑SiC欧姆接触电极具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558750A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311262394.3
(22)申请日2023.09.27
(71)申请人浙江大学
地址310058
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