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在半导体工艺期间确定晶片上的层的厚度可包括：在晶片上的层上执行工艺；在工艺期间利用原位光谱监测系统监测晶片以生成从晶片反射的光谱数据；将带通滤波器操作应用于光谱数据以生成滤波光谱数据，其中带通滤波器可被配置为经过对应于晶片上的层的频率范围；以及将滤波光谱数据匹配到参考滤波光谱数据，其中参考滤波光谱数据可已经使用带通滤波器操作来滤波，并且参考滤波光谱数据可与层的厚度相关联。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117561592A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202280045295.7(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公
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