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本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种区熔用多晶硅原料联合母料生产工艺，包括以下步骤：内环电极安装母料硅芯，中环电极和外环电极安装区熔硅芯；母料硅芯与区熔硅芯接通相电流，并通氢气与三氯氢硅的混合气体；硅芯母料生长到预设直径，内环电极通电断开；区熔硅芯继续通电，区熔用多晶硅原料生长到预设直径，中环电极与外环电极通电断开；拆卸还原炉，拆卸硅芯母料与区熔用多晶硅原料。本发明中，硅芯母料与区熔用多晶硅原料联合生产，节省生产成本；断开内环电流，进料气体循环流动更加强劲有力，原料生长气场更加均匀；硅芯母
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117509648A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311653785.8
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人内蒙古鑫华半导体科技有限公司
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