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公开了一种化合物半导体集成电路,所述化合物半导体集成电路包括用于在偏置输出节点处产生偏置电压的偏置电路。所述偏置电路包括被配置为在限定电压与供电电压之间延伸的第一电路支路。所述第一电路支路包括:第一晶体管,所述第一晶体管被配置为电流源以在所述第一电路支路中产生限定电流;以及可控可变电阻。所述偏置输出节点在第一节点处耦合到所述第一电路支路,所述第一节点位于所述可控可变电阻与所述第一晶体管之间。所述偏置电路可操作以使得所述可控可变电阻的电阻值随控制电压而改变以便改变所述偏置电压的值。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117526879A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310983711.4
(22)申请日2023.08.07
(30)优先权数据
17/817,8132022
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