基于抑制电压振荡的SiC MOSFET栅极驱动器.pdfVIP

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2024-02-07 发布于四川
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基于抑制电压振荡的SiC MOSFET栅极驱动器.pdf

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本发明公开了一种基于抑制电压振荡的SiCMOSFET栅极驱动器，属于电力电子技术领域。该SiCMOSFET栅极驱动器由三个直流电压源、两个图腾柱电路、二个电容、四个二极管、三个电阻和一个单向稳压二极管Z组成。针对SiCMOSFET工作时产生的尖峰电压和开关过程中的损耗问题，本驱动器通过串联电容的充放电以实现驱动电流大小的改变，从而降低开关过程的损耗以及抑制电压尖峰，而且驱动电路的拓扑结构简单，无需任何额外的控制，更加易于工程应用，而且本发明也同样适用于SiMOSFET、IGBT等器件。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117526689A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202311509485.2

(22)申请日2023.11.10

(71)申请人合肥工业大学

地址230009