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以光互连为目标的硅基光电集成将现有成熟的微电子与光电子技术结合起来,拥有速度快、功耗低、干扰小等优点,已成为超大规模集成电路未来发展的重要方向之一。目前硅光子学设计的经典方法是将所有芯片放置在一个水平面上,这种只能在水平面上的结构设计方法导致光互连器件尺寸过大。本发明提出的一种堆叠三维光互连结构,包括两片带有发光二极管和光电二极管的硅光芯片以及一片硅光波导;发光二极管和光电二极管由添加了不同偏置电压的封装在硅片表面的肖特基二极管实现;硅光波导夹在两片带有发光二极管和光电二极管的硅片中间;硅光波导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117518346A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311661144.7
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人电子科技大学
地址611731
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