异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.44万字
约 14页
2024-01-27 发布于四川
举报
版权申诉

异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管，该方法包括：在从下到上依次为基区外延层、发射区InP层和发射区帽层的晶圆上表面溅射金属层和淀积介质层；对介质层和金属层刻蚀，对发射区帽层腐蚀；刻蚀后的金属层构成发射区电极；淀积隔离介质层；去除介质层和介质层外表面的隔离介质层；对目标隔离介质层刻蚀，对发射区InP层腐蚀；腐蚀后的发射区InP层和发射区帽层构成发射区台面；在基区外延层上表面制备基区电极。本申请能够减小发射区台面的横向腐蚀距离，减小基区电极与发射

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457492A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311129266.1

(22)申请日2023.09.04

(71)申请人中国电子科技集团