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2024-01-27 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本实用新型实施例提供一种半导体装置，包括：衬底；电路区，位于衬底上且包括晶体管的源极/漏极结构、连接源极/漏极结构的第一半导体层及置于源极/漏极结构之间且包绕第一半导体层的第一栅极结构；及密封环，位于衬底之上且环绕电路区，密封环包括外延生长的半导体结构、第二半导体层、第三半导体层及第二栅极结构，第二与第三半导体层交替地彼此堆叠以形成层堆叠，层堆叠形成环绕电路区的连续环，层堆叠的最顶层是第三半导体层中的一者，第二栅极结构置于外延生长的半导体结构之间且位于层堆叠的最顶层上及自俯视图观察时位于层堆叠的

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220400566U

(45)授权公告日2024.01.26

(21)申请号202321111811.X

(22)申请日2023.05.10

(30)优先权数据

17/832,6472022