检测硅单晶加工损伤层厚度的方法.pdfVIP

下载本文档

7
0
约8.45千字
约 10页
2024-01-27 发布于四川
举报
版权申诉

检测硅单晶加工损伤层厚度的方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，涉及单晶硅检测方法技术领域，通过将原始硅片进行清洗，以去除原始硅片表面的油脂，得到清洗硅片，再将清洗硅片放入检测液中，在预定温度下各向异性腐蚀硅片预定时间，使得清洗硅片的损伤晶格被腐蚀，从而留下完整晶格，得到含有凹坑的腐蚀硅片，将含有凹坑的腐蚀硅片用弱碱进行漂洗，得到检测硅片，最后将检测硅片放置光学显微镜下，测量凹坑的深度，得到检测硅片的机械损伤层厚度，以通过各向异性的择优腐蚀来检测硅片损伤层的厚度，检测方法简单、便捷，且检测结果准确。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117457519A

(43)申请公布日2024.01.26

(21)申请号202311358865.0

(22)申请日2023.10.19

(71)申请人宁夏盾源聚芯半导