GB/T 43493.3-2023半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第3部分：缺陷的光致发光检测方法.pdf

ICS31.080.99

CCSL90

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT43493.32023IEC63068-32020

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

:

第部分缺陷的光致发光检测方法

3

—

SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon

g

—:

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart3Testmethodfor

pp

defectsusinhotoluminescence

gp

(:,)

IEC63068-32020IDT

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT43493.32023IEC63068-32020

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4光致发光法………………4

4.1通则…………………4

4.2原理…………………4

4.3测试需求……………5

4.4参数设置……………7

4.5测试步骤……………7

4.6评价…………………7

4.7精密度………………8

4.8测试报告……………8

()…………………

附录