具有片上滤波结构的半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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2024-01-20 发布于四川
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具有片上滤波结构的半导体激光器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种具有片上滤波结构的半导体激光器，包括：由下至上依次叠设的N面电极、N型衬底、缓冲层、N型限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型限制层，其中，P型限制层的中部呈凸台形状且两侧开设有台阶结构，凸台形状的上表面覆盖有盖层，台阶结构的上表面和侧面均覆盖有绝缘层，盖层和绝缘层露出的区域覆盖有P面电极层，P型限制层的中部凸出区域和盖层构成半导体激光器的脊条；沟槽结构，形成于脊条内，包括多个齿状沟槽和多个条状沟槽，多个齿状沟槽和多个条状沟槽均沿着半导体激光器的出光方向排列。本发明可以实现高功率

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117424072A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202311595285.3

(22)申请日2023.11.27

(71)申请人中国科学院半导体