GB/T 43493.1-2023半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第1部分：缺陷分类.pdf

ICS31.080.99

CCSL90

中华人民共和国国家标准

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GBT43493.12023IEC63068-12019

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

:

第部分缺陷分类

1

—

SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon

g

—:

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart1Classificationofdefects

pp

(:,)

IEC63068-12019IDT

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT43493.12023IEC63068-12019

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4缺陷分类…………………5

4.1通则…………………5

4.2缺陷类别说明………………………5

参考文献……………………17

Ⅰ

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GBT43493.12023IEC63068-12019

前言

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