一种平面型碳化硅IGBT器件及其制作方法、电子设备.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种平面型碳化硅IGBT器件及其制作方法、电子设备.pdf

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本发明公开一种平面型碳化硅IGBT器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以减小器件的关断时间和关断功耗，提升器件的关断速度。所述平面型碳化硅IGBT器件包括：自上而下键合在一起的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括漂移层以及形成在漂移层上方的电流扩展层和正面晶体管单元。第二半导体结构包括欧姆接触层、依次形成在欧姆接触层上的集电层和缓冲层，缓冲层朝向漂移层的一侧刻蚀有沟槽，沟槽内淀积有多晶硅层。其中，缓冲层的材料包括碳化硅，多晶硅层与缓冲层形成异质结结构。所述平面型碳化硅I

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410325A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311267422.0

(22)申请日2023.09.27

(71)申请人中国科学院微电子研究所

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