一种Ta、Al共掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种Ta、Al共掺杂钛酸锶基巨介电陶瓷材料及其制备方法.pdf

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本发明涉及电子功能材料技术领域，提供了一种Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料及其制备方法。本发明利用Ta、Al对SrTiO3进行共掺杂，所得Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料的介电常数在105量级，且介电常数的频率、温度稳定性良好，能够满足电子元器件小型化和储能器件对电介质材料的需求。并且，本发明在制备Ta、Al共掺杂SrTiO3基巨介电陶瓷材料时，无需采用氢气气氛，仅在氮气条件下烧结即可，安全性好，成本低，容易进行大规模生产。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117401970A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311342350.1

(22)申请日2023.10.17

(71)申请人云南贵金属实验室有限公司