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本发明属于半导体技术领域，公开了一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法，其包括以下步骤：步骤S1，将晶圆划分为厚边区域和减薄区域，将激光从减薄区域的硅面(0001)或者碳面(000‑1)表面入射，精确聚焦到减薄区域需要减薄的深度，在需要减薄的深度位置形成一层缺陷裂纹聚集层；步骤S2，沿厚边区域和减薄区域交界处进行竖向切割，并切割到缺陷裂纹聚集层所在的深度，形成隔离沟槽；步骤S3，将晶圆分为保留部分和去除部分；步骤S4，对保留部分的凹形面进行侧面和平面抛光；步骤S5，对步骤S4的凹形面加工，形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410172A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311151205.5B23K26/50(2014.01)
(22)申请日2023.09.
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