一种高稳定的双极性阻变存储器及其制备方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种高稳定的双极性阻变存储器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种高稳定的双极性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域。该阻变存储器从上到下依次包括顶电极，阻变层，底电极和衬底。其中阻变层的材料选自Rb2O、V2O5、吡咯，苯胺、噻吩、聚苯乙烯、聚氧化乙烯、Nb4C3、Bi2Se、ReS2或TiVC中的一种。基于该阻变层构建的阻变存储器是一种非易失性的双极性阻变存储器且具有高稳定性。实验结果表明，器件经连续100次读写后仍具有较大的开关比，经104秒读写后高阻态和低阻态仍分区明显。此外，该阻变存储器读写电压低，可以实现低功耗数据存储。其制

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117412607A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311345327.8

(22)申请日2023.10.17

(71)申请人重庆邮电大学

地址4000