具有用于拉曼表征的微纳结构的半导体器件结构.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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具有用于拉曼表征的微纳结构的半导体器件结构.pdf

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本发明提供了一种具有用于拉曼表征的微纳结构的半导体器件结构，包括：待测半导体器件结构，包括：衬底与待测部件；衬底上包括第一测试光入射区域、测试区域、以及第一测试光出射区域；待测部件形成于测试区域中；第一光学结构形成于第一测试光入射区域与第一测试光出射区域中，以使得待测部件嵌入到第一光学结构中；其中，第一光学结构用于使得测试光的传导路径形成“U”型路径。本发明提供的技术方案解决了如何实现拉曼测试中测试光在微纳结构尺度上的方向的改变，并更准确地表征待测部件中的信息、同时避免置于样品下方基底的背景信号

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117405590A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311269137.2

(22)申请日2023.09.28

(71)申请人复旦大学

地址200433