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本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117381633A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311319622.6
(22)申请日2023.10.12
(71)申请人华侨大学
地址362000
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