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本发明提供了一种半导体器件的版图结构,包括有源区图形及浮栅图形。有源区图形包括多个相互交错的第一图形和第二图形,第一图形沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布,第二图形沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布;浮栅图形位于第一图形与第二图形的每个相交处附近,且在第二方向上位于相应的第一图形的两侧,浮栅图形具有相对的第一侧和第二侧,第一侧较第二侧在第二方向上更靠近相应的第一图形,且第一侧沿第一方向的长度大于第二侧沿第一方向的长度。本发明提供的版图结构形成的浮栅的顶角处的倒角更小,可以增加浮栅的边缘区域的有效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393557A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311313117.0
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限
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