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本发明公开了一种基于瞬态电致发光测量有机半导体迁移率的方法，涉及光电子器件测试技术领域，该方法在瞬态电致发光法的基础上，利用相同材质有机半导体薄膜的厚度差异会导致瞬态电致发光时间的不同，进而根据μ＝|(d1‑d2)|2/[Δτd·|(V1‑V2)|]计算得到有机半导体薄膜的载流子迁移率。相较于传统瞬态电致发光法，该方法无需受限于测量少子迁移率的前提条件，并且所需的有机半导体薄膜厚度较小，更为精准。另外，由于采用有机半导体薄膜厚度差异获得瞬态电致发光时间差，因此可以消除由于界面势垒、激子捕获效应导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117377365A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311349271.3
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人季华恒烨（佛山）电子材料有限公司
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