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本发明公开了一种紫外发光二极管外延片，包括衬底，依次生长于衬底之上的AlN层、AlGaN过渡层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，还包括超晶格应力释放层，具体包括第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层，第一超晶格插入层生长于AlN层和AlGaN过渡层之间，第二超晶格插入层生长于N型半导体层和有源层之间，第三超晶格插入层生长于有源层和电子阻挡层之间；第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层均为交替层叠的BN层和GaN层组成的超晶格结构。本发明将超晶格应力释放
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334798A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311552615.0
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
地址3
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