稀土诱发Sn基合金表面晶须生长现象的研究的开题报告.docxVIP

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2024-01-05 发布于上海
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稀土诱发Sn基合金表面晶须生长现象的研究的开题报告

【题目】稀土诱发Sn基合金表面晶须生长现象的研究

【背景和意义】Sn基合金在电子封装领域有广泛的应用，然而在一定条件下，Sn基合金表面晶须生长的现象容易发生，严重影响产品质量和可靠性。因此，研究Sn基合金表面晶须生长的成因，探究稀土元素对Sn基合金表面晶须生长的影响是非常必要的。

【目的和内容】本研究将通过搭建实验平台，并制备Sn基合金样品，将稀土元素添加到样品中，研究稀土元素对Sn基合金表面晶须生长的影响。具体内容包括：1）制备Sn基合金样品；2）搭建实验平台，控制各项实验参数；3）通过扫描电子显微镜等分析手段观察样品表面晶须生长情况，并分析成因；4）探究稀土元素作用的机制；5）提出相应的解决方法。

【研究思路】Sn基合金样品的制备是本研究的基础，其需要考虑合金成分、制备工艺等因素。搭建实验平台需要考虑实验温度、稀土元素添加量等因素，并控制实验过程中的各项参数。表面晶须生长情况需要通过扫描电子显微镜等手段进行观察和分析。通过比对实验结果，探究稀土元素对晶须生长的影响。最后提出合理的解决方法。

【预期结果】预计本研究将能够研究稀土元素对Sn基合金表面晶须生长的影响，探究稀土元素作用的机制，并提出相应的解决方法，具有一定的理论和实际应用价值。

【研究计划】本研究计划在一年内完成，年度进度安排如下：

第1-2个月：了解相关文献，确定研究方案。

第3-4个月：制备Sn基合金样品，确定实验参数。

第5-8个月：搭建实验平台，进行实验，分析样品表面晶须生长情况。

第9-10个月：探究稀土元素作用的机制。

第11-12个月：提出相应的解决方法，撰写研究报告。

【参考文献】

[1]WuCL,ChenCC,ChuangTH.InvestigationofTinWhiskerGrowthonSn-Ag,Sn-Ag-Cu,andSn-CuPb-FreeSolderAlloys[J].JournalofElectronicMaterials,2010,39(11):2520-2526.

[2]WangP,YanZ,WangJ.EffectsofCeongrowthofSnwhiskers[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24(1):112-118.

[3]LiuY,YangY,SunY,etal.EffectsofRareEarthElementsonGrowthofSnWhiskersinSn-CoAlloys[J].JournalofElectronicMaterials,2016,45(2):1016-1022.