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本发明提供了一种磁脉冲发生电路中可控硅的击穿检测方法、设备及系统，所述磁脉冲发生电路中包括串联在一充放电回路中的可控硅、电容模块及电感模块，至少在所述磁脉冲发生电路发出相邻两次磁脉冲的时间间隙内采集一预定时间的所述电容模块和/或所述电感模块上的电压，得到检测信号，由于所述电容模块及所述电感模块上的电压波形在所述可控硅击穿和未击穿时并不相同，基于所述检测信号即可判定所述可控硅是否被击穿，从而保证所述磁脉冲发生电路的安全性和有效性；并且本发明是在所述磁脉冲发生电路发出相邻两次磁脉冲的时间间隙内采集检
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117310423A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210706404.7
(22)申请日2022.06.21
(71)申请人上海微创惟美医疗
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