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本发明提供晶片的加工方法,对在基板上层叠有功能层的晶片进行加工而能够抑制进行了芯片化时的芯片的抗折强度的降低。晶片的加工方法将在基板上层叠有功能层的晶片沿着多条分割预定线进行加工,该方法包含如下的步骤:加工槽形成步骤,沿着分割预定线照射激光光线而将功能层去除,形成使基板露出的加工槽;损伤区域去除步骤,将通过加工槽形成步骤而产生于基板与功能层的界面上的损伤区域去除,形成从加工槽的侧面向外侧扩展的凹部;凹部露出步骤,将覆盖于凹部的上方的功能层去除,使凹部露出;以及基板加工步骤,在实施了凹部露出步骤之
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316762A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202310728220.5
(22)申请日2023.06.19
(30)优先权数据
2022-102807202
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