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本公开总体涉及等离子体半导体处理和用于这种处理的处理工具。在示例中，处理工具包括腔室和基板支撑件。腔室具有在腔室内的内部容积。基板支撑件布置在腔室中的内部容积中。基板支撑件包括支撑表面，该支撑表面构造成在腔室中的内部容积中支撑半导体基板。基板支撑件包括多个射频(RF)电极。RF电极中的每个RF电极的每个侧边的尺寸等于或小于施加至相应RF电极的RF信号的波长的2％。各尺寸在平行于支撑表面的平面中。RF电极构造成至少部分控制腔室中的内部容积中的等离子体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117321742A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202280035416.X
(22)申请日2022.08.25
(85)PCT国际申请进入国家阶段
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