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本发明提供了一种基于超表面的高速光波长选择开关的制备方法，其特征在于，利用具有特殊电磁特性的材料，将所述具有特殊电磁特性的材料与绝缘层和电极结合，制备超表面单元器件，利用开关器件控制所述超表面单元器件，并制备成开关器件和超表面单元器件阵列，形成相位调制区，通过外围布线区和外部驱动电路控制，对不同波长的光进行不同的相位调制，从而实现光波长选择的作用，制备成二维光波长选择开关芯片。该方法与现有半导体工艺兼容，光波长选择开关具有快速响应、体积小的特征。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117311016A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210684979.3
(22)申请日2022.06.20
(71)申请人北京信息科技大学
地址1001
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